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SI4532ADY-T1-E3

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SI4532ADY-T1-E3

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Numero di parte SI4532ADY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
Scheda dati

SI4532ADY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4532ADY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.7A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs53 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.13W, 1.2W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4532ADY-T1-E3

SI4532ADY-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI4532ADY-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4532ADY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4532ADY-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4532ADY-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4532ADY-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4532ADY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4532ADY-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: 35K3473)

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Vishay Intertechnologies

87

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Vishay Siliconix

193
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Vishay Semiconductors

- Tape and Reel

7500
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MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC

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MOSFET, DUAL, NP, SO-8

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3.7A I(D), 30V, 2-ELEMENT, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, MS-012AA

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