Name: SI4447DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4447DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (81 reviews)

SI4447DY-T1-E3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI4447DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Scheda dati	SI4447DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4447DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	15V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	805pF @ 20V
Vgs (massimo)	±16V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	72 mOhm @ 4.5A, 15V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3 Packaging

SI4447DY-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI4447DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI4447DY-T1-E3 garanzie

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Numero di parte

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Descrizione

Azione

SI4447DY-T1-E3

D# 70459537

Vishay Siliconix

40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V

RoHS: Not Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4447DY-T1-E3

D# V72:2272_07432261

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4447DY-T1-E3

D# 75M5471

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 75M5471)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI4447DY-T1-E3

Vishay Siliconix

P CHANNEL MOSFET, -40V, 4.5A, SOIC

1952

Numero di parte

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Descrizione

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SI4447DY-T1-E3

D# SI4447DY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO

6806

Numero di parte

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VBsemi Electronics Co Ltd

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18838

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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SI4447DYT1E3

VISHAY SILICONIX

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

5950

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SI4447DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

8800000

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SI4447DY-T1-E3

D# 781-SI4447DY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V

RoHS: Compliant

2169

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Descrizione

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SI4447DY-T1-E3

D# 75M5471

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -40V, 4.5A, SOIC, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:40V, Continuous Drain Current Id:4.5A, On Resistance Rds(on):0.072ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:16V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

547

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SI4447DY-T1-E3

D# NS-SI4447DY-T1-E3

Vishay Siliconix

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7569

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MOSFET 40V 4.5A 2.0W 54mohm @ 10V

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Vishay Huntington

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SI4447DY-T1-E3

D# 30172247

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant

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SI4447DY-T1-E3

Vishay Huntington

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

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