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SI4446DY-T1-E3

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SI4446DY-T1-E3

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Numero di parte SI4446DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
Scheda dati

SI4446DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4446DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 20V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs40 mOhm @ 5.2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4446DY-T1-E3

SI4446DY-T1-E3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4446DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4446DY-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4446DY-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4446DY-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4446DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4446DY-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-Pin SOIC N T/R

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N CHANNEL MOSFET, 40V, 5.2A, SOIC

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MOSFET N-CH 40V 3.9A 8SO

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