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SI4431CDY-T1-E3

hot SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SI4431CDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Scheda dati

SI4431CDY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4431CDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1006pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32 mOhm @ 7A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3 Packaging

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4431CDY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4431CDY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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D# V72:2272_09216489

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R

RoHS: Compliant
0
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4431CDY-T1-E3)

0
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SI4431CDY-T1-E3

D# SI4431CDY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4431CDY-T1-E3)

0
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SI4431CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

TRANS MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC N - Tape and Reel

7500
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SI4431CDY-T1-E3

VBsemi Electronics Co Ltd

P Channel 30V 9A(Tc) 2.5V @ 250uA 18mohms @ 7A,10V 4.2W(Tc) SOP8 MOSFET RoHS

192
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SI4431CDYT1E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4431CDY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

RoHS (ship within 1day) - D/C 2015

1226
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SI4431CDY-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

2004
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VBsemi Electronics Co Ltd

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23784
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SI4431CDY-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 30 V 2.5 W 38 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4431CDYT1E3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

23800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4431CDY-T1-E3

D# C558266

VBsemi Electronics Co Ltd

192
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UMWSIC

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85000
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SI4431CDY-T1-E3

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Vishay Intertechnologies

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8

RoHS: Compliant
2376
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SI4431CDY-T1-E3.

D# 23AC9598

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:7A, On Resistance Rds(on):0.026ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
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SI4431CDY-T1-E3

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Vishay Intertechnologies

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OEM/CM ONLY

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