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SI4431BDY-T1-GE3

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SI4431BDY-T1-GE3

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Numero di parte SI4431BDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Scheda dati

SI4431BDY-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4431BDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 7.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4431BDY-T1-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4431BDY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4431BDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4431BDY-T1-GE3?
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-Pin SOIC N T/R

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MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO

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P CHANNEL MOSFET

RoHS: Compliant
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2099
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30V 0.03 Ohm P-ch SOIC-8

RoHS: Compliant
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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14895
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Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 7.5A 2.5W 30mohm @ 10V

RoHS: Compliant
1697
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SI4431BDY-T1-GE3

D# 15R5014

Vishay Intertechnologies

P CH MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:5.7A, On Resistance Rds(on):0.023ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Siliconix

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