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SI4420DYPBF

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SI4420DYPBF

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Numero di parte SI4420DYPBF
Produttore Infineon Technologies
Descrizione MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
Scheda dati

SI4420DYPBF Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4420DYPBF

ProduttoreInfineon Technologies
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieHEXFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds2240pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9 mOhm @ 12.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4420DYPBF

SI4420DYPBF Packaging

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Packing
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SI4420DYPBF FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4420DYPBF is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4420DYPBF. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4420DYPBF on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4420DYPBF products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4420DYPBF price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4420DYPBF?
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Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, MS-012AA

RoHS: Compliant
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Rochester Electronics LLC

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

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Infineon Technologies AG

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO

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MOSFET, N-CH, 30V, 12.5A, SOIC-8

RoHS: Compliant
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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC

RoHS: Compliant
132
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D# 34AC1970

Infineon Technologies AG

MOSFET, N-CH, 30V, 12.5A, SOIC-8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:12.5A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.009ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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12.5 MA, 30 V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, PDSO-8, LEAD FREE

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Semiconductor

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MOSFET, N-CH, 30V, 12.5A, SOIC-8

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