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SI4413CDY-T1-GE3

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SI4413CDY-T1-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte SI4413CDY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
A magazzino 18.792 piece(s)
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Specifiche SI4413CDY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI4413CDY-T1-GE3 Packaging

Customized Labels
Sealing
Packing
Insepction

SI4413CDY-T1-GE3 FAQ

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  • 3. Are the SI4413CDY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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Vishay Intertechnologies

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel (Alt: SI4413CDY-T1-GE3)

RoHS: Not Compliant
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Vishay Siliconix

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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D# SI4413CDY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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