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SI4409DY-T1-E3

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SI4409DY-T1-E3

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Numero di parte SI4409DY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 150V 1.3A 8-SOIC
Scheda dati

SI4409DY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4409DY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds332pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.2W (Ta), 4.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4409DY-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4409DY-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4409DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4409DY-T1-E3?
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