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SI4362BDY-T1-E3

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SI4362BDY-T1-E3

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Numero di parte SI4362BDY-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC
Scheda dati

SI4362BDY-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4362BDY-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4800pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)3W (Ta), 6.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6 mOhm @ 19.8A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4362BDY-T1-E3

SI4362BDY-T1-E3 Packaging

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