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SI4202DY-T1-GE3

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SI4202DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4202DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
Scheda dati

SI4202DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4202DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 15V
Potenza - Max3.7W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

Scheda tecnica SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3 Packaging

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Packing
Insepction

SI4202DY-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4202DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI4202DY-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI4202DY-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI4202DY-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI4202DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
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  • 5. How is the shipping arranged?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
  • 6. What is the process for return or replacement of SI4202DY-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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D# V72:2272_09215544

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R

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 Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC T/R - Tape and Reel (Alt: SI4202DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
 0
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Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4202DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
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 Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC T/R (Alt: SI4202DY-T1-GE3)

RoHS: Compliant
 0
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 Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

 15000
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D# SI4202DY-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO

 155
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4202DY-T1-GE3

D# 2056717

 Vishay Intertechnologies

MOSFET, NN CH, W/D, 30V, 12.1A, SO8

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
 0
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SI4202DYT1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 35700
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OEM/CM Immediate delivery

 180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4202DY-T1-GE3

D# 781-SI4202DY-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

RoHS: Compliant
 3675
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SI4202DY-T1-GE3

D# XSFP00000090665

 Vishay Siliconix

Dual N-Channel 20 V 14 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8

 125000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI4202DY-T1-GE3.

D# 26AC3327

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:12.1A, On Resistance Rds(on):0.0115ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
 30000
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SI4202DYT1GE3

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 20016
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