Name: SI4200DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4200DY-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

SI4200DY-T1-GE3

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Numero di parte	SI4200DY-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Scheda dati	SI4200DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4200DY-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	415pF @ 13V
Potenza - Max	2.8W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

Scheda tecnica SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3 Packaging

SI4200DY-T1-GE3 FAQ

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D# V72:2272_07435289

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DUAL N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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D# SI4200DY-T1-GE3TR-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

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D# 23AC9597

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Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:25V, Continuous Drain Current Id:7.3A, On Resistance Rds(on):0.02ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.2V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant

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Container: TAPE & REEL - FULL

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