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SI4174DY-T1-GE3

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SI4174DY-T1-GE3

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Numero di parte SI4174DY-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Scheda dati

SI4174DY-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4174DY-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C17A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds985pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5 mOhm @ 10A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4174DY-T1-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI4174DY-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI4174DY-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI4174DY-T1-GE3?
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Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin SOIC N T/R

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Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

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MOSFET,N CHANNEL,30V,17A,SO8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:17A, On Resistance Rds(on):0.0078ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
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