* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SI4164DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| A magazzino | 46.572 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | dic 26 - dic 31 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3545pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 15A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
M39003/03-0203H | Vishay Sprague, CAP TANT 12UF 10% 6V AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
|
AQ12EM1R9BAJWE | AVX Corporation, CAP CER 1.9PF 150V 0606, 0606 (1616 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
B41041A6107M | EPCOS (TDK), CAP ALUM 100UF 20% 50V RADIAL, Radial, Can, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
E3X-DAT6-1 | Omron Automation and Safety, HYBRID FIBER AMPLIFIER, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
LTC5596HDC#TRPBF | Linear Technology, IC RMS POWER DETECTOR 8DFN, 8-WFDFN Exposed Pad, TrenchFET? | Visualizza |
|
RNC60J1131FSB14 | Vishay Dale, RES 1.13K OHM 1/4W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
RC1608F1R21CS | Samsung, RESISTOR 0603 1.21OHM 0.1W 1, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
RNCF0603BTE6K57 | Stackpole Electronics Inc., RES SMD 6.57KOHM 0.1% 1/10W 0603, 0603 (1608 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
DWM-08-52-L-S-273 | Samtec Inc., .050" BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
DAME15SA191A197 | ITT Cannon, LLC, CONN D-SUB RCPT 15POS PNL MNT, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
GBB13DHAR | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 26POS 0.050, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
PMA30F-3R3-J1 | Cosel USA, Inc., AC/DC PS (ENCLOSED TYPE), -, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# 70026401 |
Vishay Siliconix |
MOSFET, N-CH, VDS 30V, RDS(ON) 0.0026Ohm, ID 30A, SO-8, PD 6.0W, VGS +/-20V RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# E02:0323_00529603 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4164DY-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4164DY-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
Min Qty 5 |
7380 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel 30V 30A(Tc) 2.5V @ 250uA 3.2mohms @ 15A,10V 6W(Tc) SOIC-8_150mil MOSFET RoHS |
4 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# SI4164DY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO |
11271 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# 2335304 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 30V, 0.0026OHM, 30A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
2126 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 30 V 0.0032 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
77500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
12073 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# 781-SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 RoHS: Compliant
|
3695 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# XSFP00000063463 |
Vishay Siliconix |
Single N-Channel 30 V 0.0032 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
62500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3. D# 28AC2135 |
Vishay Intertechnologies |
N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, SOIC, FULL REEL, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:30A, On Resistance Rds(on):0.0026ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:2.5VRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
SI4164DY-T1-GE3 D# 97W2646 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 30 V, 0.0026 ohm, 10 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
|
1318 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# NS-SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
27596 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
21500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
50 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# 8123198 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 30 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4164DY-T1-GE3, PK Min Qty: 10
Container: Package
|
2410 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DYT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
5862 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
2031 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# 51841085 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC |
13329 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4164DY-T1-GE3 D# 2335304 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 30V, 0.0026OHM, 30A, SOIC RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Each
|
1318 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SI4164DY-T1-GE3?
+86-755-83210559 ext. 816
Scansiona per visualizzare questa pagina
