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| Numero di parte | SI4162DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
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| A magazzino | 546.816 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1155pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 20A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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SIT9120AC-1D1-XXS166.666666Y | SiTime, -20 TO 70C, 7050, 20PPM, 2.25V-3, 6-SMD, No Lead, TrenchFET? | Visualizza |
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1210Y5000121FCT | Knowles Syfer, CAP CER 120PF 500V C0G/NP0 1210, 1210 (3225 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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UMK105B7473MV-FR | Taiyo Yuden, CAP CER 0.047UF 50V X7R 0402, 0402 (1005 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
 
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1N4001-E3/73 | Vishay Semiconductor Diodes Division, DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL, DO-204AL, DO-41, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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MBRD650CTT4 | ON Semiconductor, DIODE ARRAY SCHOTTKY 50V 3A DPAK, TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, TrenchFET? | Visualizza |
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VDRS05C350TSE | Vishay BC Components, VARISTOR 560V 400A DISC 7MM, Disc 7mm, TrenchFET? | Visualizza |
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AML51-G40GR | Honeywell Sensing and Productivity Solutions, BUTTON FOR SWES AND INDICATORS, -, TrenchFET? | Visualizza |
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RNF18FTD13R7 | Stackpole Electronics Inc., RES 13.7 OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
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MLF1005LR68K | TDK Corporation, FIXED IND 680NH 40MA 550 MOHM, 0402 (1005 Metric), TrenchFET? | Visualizza |
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831-87-050-10-230101 | Preci-Dip, PCB CONN SOLDER TAIL 2MM, -, TrenchFET? | Visualizza |
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VE-BN0-EX-F3 | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
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MC33FS6511NAE | NXP, SYSTEM BASIS CHIP DCDC 1.5A VCO, 48-LQFP Exposed Pad, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# E02:0323_00529908 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: SI4162DY-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: SI4162DY-T1-GE3) RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 440 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R |
22500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# SI4162DY-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO |
5087 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3.. D# 1840421 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET,N CH,30V,19.3A,SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
SI4162DY-T1-GE3 D# 1779240RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 30V, 19.3A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
12500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
12144 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# 781-SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 RoHS: Compliant
|
3788 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# XSFP00000063462 |
Vishay Siliconix |
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 |
72500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# 55R1921 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 30V, 19.3A, SO8, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:19.3A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0065ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power DissipationRoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
4425 |
SI4162DY-T1-GE3. D# 15AC0297 |
Vishay Intertechnologies |
Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:19.3A, On Resistance Rds(on):0.0065ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: TAPE & REEL - FULL
|
2500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# NS-SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7008 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 352 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# 7103323 |
Vishay Intertechnologies |
N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4162DY-T1-GE3, PK Min Qty: 5
Container: Package
|
1995 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
15221 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 pbFree: Pb-Free
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
4996 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 D# 10308202 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-Pin SOIC N T/R |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC |
2500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4162DY-T1-GE3. D# 2394291 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CH, 30V, 19.3A, SOIC-8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
SI4162DY-T1-GE3 D# 1779240 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 30V, 19.3A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
2050 |
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+86-755-83210559 ext. 887
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