* Please refer to the English Version as our Official Version.
| Numero di parte | SI4102DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
| Scheda dati | |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| A magazzino | 179.544 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
| Tempo di consegna stimato | gen 26 - gen 31 (Scegli una spedizione rapida) |
| Richiedi Preventivo |
|
| Modalità di pagamento | |
| Servizi di consegna |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ECAD |
|
| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 2.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
|
CD19FD502JO3 | Cornell Dubilier Electronics (CDE), CAP MICA 5000PF 5% 500V RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
|
EMVJ160ADA470MF60G | United Chemi-Con, CAP ALUM 47UF 20% 16V SMD, Radial, Can - SMD, TrenchFET? | Visualizza |
 
|
LM224PT | STMicroelectronics, IC OPAMP GP 1.3MHZ 14TSSOP, 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
|
THS1207IDA | Texas Instruments, IC 12 BIT QUAD ADC FIFO 32-TSSOP, 32-TSSOP (0.240", 6.10mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
|
|
Y00071K78000B9L | Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group), RES 1.78K OHM 0.6W 0.1% RADIAL, Radial, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
RNR55H1004FSB14 | Vishay Dale, RES 1M OHM 1/8W 1% AXIAL, Axial, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
TV06DT-11-2HA | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG MALE 2POS GOLD CRIMP, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
GTC030-28-22S | Amphenol Industrial Operations, CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
97-3108B20-4P-940 | Amphenol Industrial Operations, AB 4C 4#12 PIN PLUG, -, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
VE-B4R-MV | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 7.5V 150W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
|
V375A5T400B | Vicor Corporation, CONVERTER MOD DC/DC 5V 400W, Full Brick, TrenchFET? | Visualizza |
|
|
XC6221D12AMR-G | Torex Semiconductor Ltd, 200MA HIGH SPEED LDO REGULATOR, -, TrenchFET? | Visualizza |
Garantiamo la soddisfazione del cliente al 100%.
Il nostro team di vendita esperto e il team di supporto tecnico supportano i nostri servizi per soddisfare tutti i nostri clienti.
Forniamo una garanzia di 90 giorni.
Se gli articoli che hai ricevuto non fossero di qualità perfetta, saremmo responsabili per il rimborso o la sostituzione, ma gli articoli devono essere restituiti nelle loro condizioni originali.
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Semiconductors |
- Tape and Reel |
2500 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0027A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# SI4102DY-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# 1779249RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 100V, 3.8A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DYT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
14875 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# 55R1915 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 3.8A, SO8, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:3.8A, On Resistance Rds(on):0.13ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# NS-SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
4146 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DYT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7515 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
105 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC |
15170 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI4102DY-T1-GE3 D# 1779249 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, N-CH, 100V, 3.8A, SO8 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
0 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
Avete qualche domanda circa SI4102DY-T1-GE3?
+86-755-83210559 ext. 813
Scansiona per visualizzare questa pagina
