Name: SI4102DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4102DY-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (86 reviews)

SI4102DY-T1-E3

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Numero di parte	SI4102DY-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC
Scheda dati	SI4102DY-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
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Specifiche SI4102DY-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	370pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	158 mOhm @ 2.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Scheda tecnica SI4102DY-T1-E3

SI4102DY-T1-E3 Packaging

SI4102DY-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI4102DY-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC

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Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

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D# SI4102DY-T1-E3-ND

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MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO

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VBsemi Electronics Co Ltd

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