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SI3909DV-T1-GE3

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Numero di parte SI3909DV-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Scheda dati

SI3909DV-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3909DV-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id500mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.15W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

Scheda tecnica SI3909DV-T1-GE3

SI3909DV-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI3909DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3909DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3909DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3909DV-T1-GE3?
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