Name: SI3805DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3805DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (95 reviews)

SI3805DV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3805DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
Scheda dati	SI3805DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3805DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	LITTLE FOOT?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3 Packaging

SI3805DV-T1-GE3 FAQ

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We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3805DV-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3805DV-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3805DV-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
3. Are the SI3805DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI3805DV-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI3805DV-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3805DV-T1-GE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.3A, TSOP, Transistor Polarity:P Channel + Schottky, Continuous Drain Current Id:-3.3A, Drain Source Voltage Vds:-20V, On Resistance Rds(on):84mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-1.5V , RoHS Compliant: Yes

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Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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D# SI3805DV-T1-GE3TR-ND

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