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SI3586DV-T1-GE3

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SI3586DV-T1-GE3

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Numero di parte SI3586DV-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
Scheda dati

SI3586DV-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3586DV-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max830mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP

Scheda tecnica SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3 Packaging

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SI3586DV-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3586DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI3586DV-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI3586DV-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI3586DV-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI3586DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3586DV-T1-GE3?
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