Name: SI3475DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3475DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (96 reviews)

SI3475DV-T1-E3

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Numero di parte	SI3475DV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
Scheda dati	SI3475DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3475DV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	950mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.61 Ohm @ 900mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3 Packaging

SI3475DV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3475DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3475DV-T1-E3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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