Name: SI3474DV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3474DV-T1-BE3
Availability: InStock
Rating: 5 (136 reviews)

SI3474DV-T1-BE3

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Numero di parte	SI3474DV-T1-BE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Scheda dati
pacchetto	-
ECAD
A magazzino	0 piece(s)
Prezzo unitario	Request a Quote
Tempi di Consegna	Essere confermato
Tempo di consegna stimato	nov 18 - nov 23 (Scegli una spedizione rapida)
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Specifiche SI3474DV-T1-BE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	-
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.4 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	196 pF @ 50 V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	126mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3474DV-T1-BE3 Packaging

SI3474DV-T1-BE3 FAQ

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6. What is the process for return or replacement of SI3474DV-T1-BE3?

All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI3474DV-T1-BE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI3474DV-T1-BE3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3474DV-T1-BE3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

Two processes to return the products:

(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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