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SI3467DV-T1-GE3

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SI3467DV-T1-GE3

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Numero di parte SI3467DV-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-TSOP
Scheda dati

SI3467DV-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3467DV-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs54 mOhm @ 5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-TSOP
Pacchetto / casoSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3467DV-T1-GE3

SI3467DV-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI3467DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI3467DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI3467DV-T1-GE3?
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