Name: SI3460DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3460DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

SI3460DV-T1-GE3

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Numero di parte	SI3460DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Scheda dati	SI3460DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3460DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 1mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3460DV-T1-GE3

SI3460DV-T1-GE3 Packaging

SI3460DV-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI3460DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI3460DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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N-CH MOSFET TSOP-6 20V 38MOHM @ 1.8V - Tape and Reel

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D# SI3460DV-T1-GE3-ND

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