Name: SI3459BDV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3459BDV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (126 reviews)

SI3459BDV-T1-E3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI3459BDV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Scheda dati	SI3459BDV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3459BDV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216 mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3 Packaging

SI3459BDV-T1-E3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI3459BDV-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI3459BDV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI3459BDV-T1-E3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI3459BDV-T1-E3 only when all of the below conditions are fulfilled:

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

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SI3459BDV-T1-E3 garanzie

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SI3459BDV-T1-E3

D# V72:2272_09216668

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

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SI3459BDV-T1-E3

D# SI3459BDV-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel (Alt: SI3459BDV-T1-E3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI3459BDV-T1-E3

D# SI3459BDV-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3459BDV-T1-E3)

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI3459BDV-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Single P-Channel 60 V 216 mO 12 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI3459BDVT1E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0022A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI3459BDV-T1-E3

D# SI3459BDV-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP

593

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SI3459BDV-T1-E3

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359

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VISHAY S

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

2992

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Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

9000

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

17850

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Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

36000

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SI3459BDV-T1-E3

D# 781-SI3459BDV-E3

Vishay Intertechnologies

MOSFET -60V Vds 20V Vgs TSOP-6

RoHS: Compliant

2813

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SI3459BDV-T1-E3

D# XSFP00000063448

Vishay Siliconix

Single P-Channel 60 V 216 mO 12 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6

6000

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SI3459BDV-T1-E3

D# 16P3719

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, -60V, 2.9A, TSOP, FULL REEL, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:60V, Continuous Drain Current Id:2.9A, On Resistance Rds(on):0.288ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Threshold Voltage Vgs:3VRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

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SI3459BDV-T1-E3

D# NS-SI3459BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6472

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SI3459BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

2.2mA, 60V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

2188

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OEM/CM ONLY

4485

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Vishay Huntington

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SI3459BDV-T1-E3

D# 35559272

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