Name: SI3430DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3430DV-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (168 reviews)

SI3430DV-T1-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI3430DV-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Scheda dati	SI3430DV-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3430DV-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	-
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 2.4A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3430DV-T1-GE3

SI3430DV-T1-GE3 Packaging

SI3430DV-T1-GE3 FAQ

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2. How does Heisener guarantee that SI3430DV-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?

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3. Are the SI3430DV-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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SI3430DV-T1-GE3

D# V36:1790_09216623

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R

RoHS: Compliant

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SI3430DV-T1-GE3

D# 26R1863

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 26R1863)

Numero di parte

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SI3430DV-T1-GE3

D# SI3430DV-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R (Alt: SI3430DV-T1-GE3)

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

3000

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SI3430DV-T1-GE3

D# SI3430DV-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP

1969

Numero di parte

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SI3430DV-T1-GE3

D# 1871903

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 100V, 2.4A, TSOP-6

RoHS: Compliant

Min Qty: 1

Container: Cut Tape

824

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SI3430DVT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

14486

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SI3430DV-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

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180000

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SI3430DV-T1-BE3

D# 78-SI3430DV-T1-BE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET N-CHANNEL 100V (D-S)

RoHS: Compliant

6000

SI3430DV-T1-GE3

D# 781-SI3430DV-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V

RoHS: Compliant

1192

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI3430DV-T1-GE3

D# 15R4923

Vishay Intertechnologies

N CH MOSFET, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:100V, Continuous Drain Current Id:2.4A, On Resistance Rds(on):0.17ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: TAPE & REEL - FULL

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SI3430DV-T1-GE3

D# NS-SI3430DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

3459

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SI3430DVT1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

919

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Vishay Huntington

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SI3430DV-T1-GE3

D# 21256746

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-Pin TSOP T/R

RoHS: Compliant

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SI3430DV-T1-GE3

Vishay Huntington

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

10275

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SI3430DV-T1-GE3

D# 1871903

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 100V, 2.4A, TSOP-6

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