Name: SI3407DV-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3407DV-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (117 reviews)

SI3407DV-T1-E3

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Numero di parte	SI3407DV-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Scheda dati	SI3407DV-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
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Specifiche SI3407DV-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 10V
Vgs (massimo)	±12V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-TSOP
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Scheda tecnica SI3407DV-T1-E3

SI3407DV-T1-E3 Packaging

SI3407DV-T1-E3 FAQ

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3. Are the SI3407DV-T1-E3 price and inventory displayed accurate?

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(2)We are informed of the defect described above within 90 days after the delivery of SI3407DV-T1-E3.

(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
7.How to contact us to get technical supports, such as SI3407DV-T1-E3 pin diagram, SI3407DV-T1-E3 datasheet?

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