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| Numero di parte | SI2337DS-T1-GE3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 499.200 piece(s) |
| Prezzo unitario | Request a Quote |
| Tempi di Consegna | Spedizione immediata |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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1210J2008P20CAT | Knowles Syfer, CAP CER 1210, -, TrenchFET? | Visualizza |
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0505Y1001P30CQT | Knowles Syfer, CAP CER HIGH Q 0505, -, TrenchFET? | Visualizza |
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B340Q-13-F | Diodes Incorporated, DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC, DO-214AB, SMC, TrenchFET? | Visualizza |
 
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M95160-WMN6TP | STMicroelectronics, IC EEPROM 16KBIT 10MHZ 8SO, 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), TrenchFET? | Visualizza |
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TRF37C73IDSGT | Texas Instruments, RF AMP 18 DB GAIN 8WSON, 8-WFDFN Exposed Pad, TrenchFET? | Visualizza |
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PT22A512B | TE Connectivity Potter & Brumfield Relays, RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 12V, -, TrenchFET? | Visualizza |
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10114831-10113LF | Amphenol FCI, WTB 1.25 WAFER 90 DIP, -, TrenchFET? | Visualizza |
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FW-03-02-F-D-550-091 | Samtec Inc., .050'' BOARD SPACERS, -, TrenchFET? | Visualizza |
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DAMZ3H3PN | ITT Cannon, LLC, CONN DSUB PLUG 3POS PNL MNT SLDR, -, TrenchFET? | Visualizza |
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FRCIR06LF-28-21SY-F80-T89 | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 37POS STRGHT SKT, -, TrenchFET? | Visualizza |
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DTS26F15-35BN | TE Connectivity Deutsch Connectors, CONN PLUG HSG FMALE 37POS INLINE, -, TrenchFET? | Visualizza |
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TV06DT-19-11JB-LC | Amphenol Aerospace Operations, CONN PLUG HSG FMALE 11POS INLINE, -, TrenchFET? | Visualizza |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 70616156 |
Vishay Siliconix |
SI2337DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 1.75 A, 80 V, 3-Pin TO-236 RoHS: Not Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# E02:0323_00529863 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 61AC1930 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 61AC1930) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2337DS-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 80V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2337DS-T1-GE3) |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
9000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel -80V 2.2A 4V @ 250uA 270mohms @ 1.2A,10V 760mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS |
2396 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# SI2337DS-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
2096 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 2101437RL |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236 RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Reel
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Single P-Channel 80 V 0.27 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-236 RoHS: Compliant
pbFree: Yes
|
24000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
14280 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# C83155 |
Vishay Intertechnologies | 2396 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
500000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 781-SI2337DS-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23 RoHS: Compliant
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3495 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# XSKDRABV0026474 |
Vishay Intertechnologies | 6000 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 26R1861 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -80V, 2.2A TO-236, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:2.2A, Drain Source Voltage Vds:80V, On Resistance Rds(on):0.216ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:6V, Threshold Voltage Vgs:4V RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
|
929 |
SI2337DS-T1-GE3. D# 30AC0142 |
Vishay Intertechnologies |
P CHANNEL MOSFET, -80V, 2.2A TO-236, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:80V, Continuous Drain Current Id:2.2A, On Resistance Rds(on):0.216ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:6V RoHS Compliant: No RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# NS-SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3014 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies | 3096 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 8123123 |
Vishay Intertechnologies |
P-Channel MOSFET, 1.75 A, 80 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2337DS-T1-GE3, PK Min Qty: 20
Container: Package
|
100 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DST1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM ONLY |
18016 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
499985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET -80V Vds 20V Vgs SOT-23 pbFree: Pb-Free
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0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
shipping today |
10220 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 53391612 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 80V 2.2A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
|
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 |
Vishay Huntington |
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
12200 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2337DS-T1-GE3 D# 2101437 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET, P CH, 80V, 2.2A, TO-236 RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
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2451 |
L'impegno di Heisener per la qualità ha plasmato i nostri processi di approvvigionamento, test, spedizione e ogni passo intermedio. Questa base è alla base di ogni componente che vendiamo.
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