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Numero di parte | SI2333DS-T1-GE3 |
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Produttore | Vishay Siliconix |
Descrizione | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
Scheda dati | |
pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
ECAD |
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A magazzino | 716.904 piece(s) |
Prezzo unitario | Request a Quote |
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Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# V36:1790_09216809 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2333DS-T1-GE3) |
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
P CH MOSFET |
66 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 |
VBsemi Electronics Co Ltd |
P Channel 20V 5A(Tc) 1.5V @ 250uA 35mohms @ 5.1A,10V 2.5W(Tc) SOT23-3 MOSFET RoHS |
190 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# SI2333DS-T1-GE3CT-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
3983 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# 1867182 |
Vishay Intertechnologies |
P CH MOSFET RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
|
0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DST1GE355150C |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
12 | |
SI2333DST1GE3 |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
5950 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# C558260 |
VBsemi Electronics Co Ltd | 190 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM Immediate delivery |
180000 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# 781-SI2333DS-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V RoHS: Compliant
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5922 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# 15R4914 |
Vishay Intertechnologies |
P CH MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.1A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):25mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs Typ:-1V, Power Dissipation Pd:750mW RoHS Compliant: Yes RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# NS-SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
7736 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
IN stock Immediate delivery |
179985 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V pbFree: Pb-Free
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0 |
Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2333DS-T1-GE3 D# 1867182 |
Vishay Intertechnologies |
P CH MOSFET RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
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0 |
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86-755-83210559-841
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