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SI2333DS-T1-GE3

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SI2333DS-T1-GE3

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Numero di parte SI2333DS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Scheda dati

SI2333DS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2333DS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 6V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs32 mOhm @ 5.3A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2333DS-T1-GE3

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SI2333DS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2333DS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2333DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2333DS-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# V36:1790_09216809

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# SI2333DS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2333DS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

P CH MOSFET

 66
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

 VBsemi Electronics Co Ltd

P Channel 20V 5A(Tc) 1.5V @ 250uA 35mohms @ 5.1A,10V 2.5W(Tc) SOT23-3 MOSFET RoHS

 190
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# SI2333DS-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

 3983
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# 1867182

 Vishay Intertechnologies

P CH MOSFET

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DST1GE3

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 5950

SI2333DST1GE355150C

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 12
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# C558260

 VBsemi Electronics Co Ltd

190
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# 781-SI2333DS-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant
 5922
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# 15R4914

 Vishay Intertechnologies

P CH MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-4.1A, Drain Source Voltage Vds:-12V, On Resistance Rds(on):25mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V, Threshold Voltage Vgs Typ:-1V, Power Dissipation Pd:750mW RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

D# NS-SI2333DS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 7736
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

 179985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2333DS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V

pbFree: Pb-Free
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 1867182

 Vishay Intertechnologies

P CH MOSFET

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Container: Cut Tape
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