Name: SI2331DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2331DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (121 reviews)

SI2331DS-T1-GE3

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Numero di parte	SI2331DS-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Scheda dati	SI2331DS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2331DS-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 6V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 3.6A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3 Packaging

SI2331DS-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI2331DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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