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SI2331DS-T1-E3

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SI2331DS-T1-E3

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Numero di parte SI2331DS-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
Scheda dati

SI2331DS-T1-E3 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2331DS-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds780pF @ 6V
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48 mOhm @ 3.6A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2331DS-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2331DS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI2331DS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2331DS-T1-E3?
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