Name: SI2319DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319DS-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (190 reviews)

SI2319DS-T1-GE3

Per Riferimento Soltanto

Numero di parte	SI2319DS-T1-GE3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Scheda dati	SI2319DS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2319DS-T1-GE3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 20V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2319DS-T1-GE3

SI2319DS-T1-GE3 Packaging

SI2319DS-T1-GE3 FAQ

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3. Are the SI2319DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?

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(3)The PartNo is unused and only in the original unpacked packaging.

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(1)Inform us within 90 days

(2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte

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SI2319DS-T1-GE3

D# V72:2272_09216803

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI2319DS-T1-GE3

D# SI2319DS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2319DS-T1-GE3)

Numero di parte

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SI2319DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

P CH MOSFET

3053

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SI2319DS-T1-GE3

VBsemi Electronics Co Ltd

P Channel 30V 5.6A(Tc) 2V @ 250uA 55mohms @ 4.4A,10V 2.5W(Tc) SOT23-3 MOSFET RoHS

1560

Numero di parte

Produttore

Descrizione

Azione

SI2319DS-T1-GE3

D# SI2319DS-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3

147

Numero di parte

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SI2319DS-T1-GE3

Vishay Aztronic

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265

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SI2319DS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant

pbFree: Yes

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SI2319DST1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

315

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SI2319DS-T1-GE3

D# C558255

VBsemi Electronics Co Ltd

1545

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SI2319DS-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

33431

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SI2319DS-T1-GE3

D# 781-SI2319DS-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V

RoHS: Compliant

3658

Numero di parte

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Descrizione

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SI2319DS-T1-GE3

D# 84R8030

Vishay Intertechnologies

P CHANNEL MOSFET, Transistor Polarity:P Channel, Drain Source Voltage Vds:40V, Continuous Drain Current Id:2.3A, On Resistance Rds(on):0.065ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant

Min Qty: 3000

Container: Cut Tape

Numero di parte

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SI2319DS-T1-GE3

D# NS-SI2319DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

8518

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SI2319DST1GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

322

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SI2319DS-T1-GE3

D# 32404566

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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