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SI2316DS-T1-GE3

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SI2316DS-T1-GE3

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Numero di parte SI2316DS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Scheda dati

SI2316DS-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2316DS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds215pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 3.4A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2316DS-T1-GE3

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SI2316DS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2316DS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2316DS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2316DS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2316DS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2316DS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2316DS-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Trans MOSFET N-CH 30V 2.9A 3-Pin SOT-23 T/R

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N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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