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SI2314EDS-T1-E3

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SI2314EDS-T1-E3

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Numero di parte SI2314EDS-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Scheda dati

SI2314EDS-T1-E3 Scheda dati

pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2314EDS-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.77A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs33 mOhm @ 5A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2314EDS-T1-E3

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Packing
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SI2314EDS-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2314EDS-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2314EDS-T1-E3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2314EDS-T1-E3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2314EDS-T1-E3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2314EDS-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2314EDS-T1-E3?
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    (1)Inform us within 90 days
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# 70459672

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

RoHS: Not Compliant
0
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D# V72:2272_09216794

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# 06J7576

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin TO-236 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 06J7576)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

Vishay Siliconix

980
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

Vishay Siliconix

Min Qty 9

1980
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

Vishay Intertechnologies

N-Channel 20V 3.77A 950mV @ 250uA 33mohms @ 5A,4.5V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

2996
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# SI2314EDS-T1-E3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

15936
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VBsemi Electronics Co Ltd

In stock shipping within 2days

5260
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SI2314EDS-T1-E3

D# 1470104

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, TO-236

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3110
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDST1E3

Vishay Intertechnology, I

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

103231
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

Vishay Intertechnologies

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111
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

Vishay Intertechnologies

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18000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# 781-SI2314EDS-E3

Vishay Intertechnologies

MOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

RoHS: Compliant
8715
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# 06J7576

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.9A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4.9A, On Resistance Rds(on):0.033ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
3110

SI2314EDS-T1-E3.

D# 30AC0139

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:4.9A, On Resistance Rds(on):0.033ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:950mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# NS-SI2314EDS-T1-E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

6074
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SI2314EDS-T1-E3

Vishay Siliconix

3770 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

305
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# SI2314EDS-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Semiconductor

5403
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SI2314EDST1E3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

15000
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17985
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Vishay Huntington

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SI2314EDS-T1-E3

D# 32395837

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Trans MOSFET N-CH 20V 3.77A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
0
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mfr

RFQ

9470
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Huntington

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

3400
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2314EDS-T1-E3

D# 1470104RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET, N, TO-236

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