| Numero di parte | SI2309DS-T1-E3 |
|---|---|
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Descrizione | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 |
| Scheda dati | |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| A magazzino | 66.144 piece(s) |
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| Produttore | Vishay Siliconix |
| Categoria | Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli |
| pacchetto | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ECAD |
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| Serie | TrenchFET? |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 1.25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
Vishay Precision Group Inc | 4125 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 D# SI2309DS-T1-E3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 |
0 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DST1E3 D# SI2309DST1E3 |
Vishay Siliconix |
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1577 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
N |
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10310 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
VISHAYSI2309DST1E3 |
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SI2309DST1E3 |
Vishay Intertechnologies |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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2300 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
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| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 D# NS-SI2309DS-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
8595 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
1250 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
106 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DST1E3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
21238 |
VISHAY SI2309DST1E3 |
OEM/CM ONLY |
2516 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
Vishay Intertechnologies |
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35985 |
| Numero di parte | Produttore | Descrizione | Azione |
SI2309DS-T1-E3 |
Vishay Huntington |
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