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SI2306BDS-T1-GE3

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SI2306BDS-T1-GE3

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Numero di parte SI2306BDS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Scheda dati

SI2306BDS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2306BDS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.16A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds305pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs47 mOhm @ 3.5A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2306BDS-T1-GE3

SI2306BDS-T1-GE3 Packaging

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SI2306BDS-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI2306BDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2306BDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2306BDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2306BDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2306BDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2306BDS-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# V72:2272_09216787

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 16P3706

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 16P3706)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

D# SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2306BDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

D# SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 3.16A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2306BDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

9000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Si2306BDS Series N-Channel 30 V 47 mOhm 0.75 W Surface Mount Mosfet - TO-236

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 30V 4A 3V @ 250uA 47mohms @ 3.5A,10V 750mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

 1317
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

D# SI2306BDS-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

 6059
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDST1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 10710
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Huntington

In Stock

 9000
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SI2306BDS-T1-GE3

D# C48657

 Vishay Intertechnologies

817
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 500000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# 781-SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

RoHS: Compliant
 2560
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2306BDS-T1-GE3.

D# 30AC0137

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:3.16A, On Resistance Rds(on):0.038ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 0

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D# 16P3706

 Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, TO-236, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:4A, On Resistance Rds(on):0.065ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:20V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1187
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D# NS-SI2306BDS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

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 9082
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SI2306BDST1GE3

 Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

 12016
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D# 31084367

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