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SI2302DDS-T1-GE3

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SI2302DDS-T1-GE3

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Numero di parte SI2302DDS-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CHAN 20V SOT23
Scheda dati

SI2302DDS-T1-GE3 Scheda dati
pacchetto TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
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Specifiche SI2302DDS-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.9A (Tj)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±8V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)710mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Scheda tecnica SI2302DDS-T1-GE3

SI2302DDS-T1-GE3 Packaging

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Packing
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SI2302DDS-T1-GE3 FAQ

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    Currently, Heisener only provide peer-to-peer order processing. While you submit the RFQ, our professional agent will contact you with the competitive prices in the global market, and our agent will prompt you to finish the order if you accept our offers.
  • 2. How does Heisener guarantee that SI2302DDS-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SI2302DDS-T1-GE3. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SI2302DDS-T1-GE3 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SI2302DDS-T1-GE3 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SI2302DDS-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
    The price and inventory of SI2302DDS-T1-GE3 fluctuates frequently and cannot be updated in time, it will be updated periodically within 24 hours. And, our quotation usually expires after 5 days.
  • 4. What forms of payment are accepted?
    Wire Transfer, PayPal, Alipay, Wechat, Credit Card, Western Union, MoneyGram, and Escrow are all acceptable.
    Warm Tips: Some orders in certain payment forms may require handling fee.
  • 5. How is the shipping arranged?
    Customers can choose industry-leading freight companies, including DHL, UPS, FedEx, TNT, and Registered Mail. Shipping insurance is also available.
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI2302DDS-T1-GE3?
    All goods will implement Pre-Shipment Inspection (PSI), selected at random from all batches of your order to do a systematic inspection before arranging the shipment. If there is something wrong with the SI2302DDS-T1-GE3 we delivered, we will accept the replacement or return of the SI2302DDS-T1-GE3 only when all of the below conditions are fulfilled:
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
  • 7.How to contact us to get technical supports, such as SI2302DDS-T1-GE3 pin diagram, SI2302DDS-T1-GE3 datasheet?
    If you need any after-sales service, please do not hesitate to contact us.

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# 70459664

 Vishay Siliconix

20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V

RoHS: Not Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# E02:0323_07507475

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2302DDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2302DDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 2.9A 3-Pin TO-236 T/R (Alt: SI2302DDS-T1-GE3)

 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Siliconix

MOSFET, N CH, 20V, 2.6A, SOT-23-3

 1510
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

N-Channel 20V 2.9A(Tj) 850mV @ 250uA 57mohms @ 3.6A,4.5V 710mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

 7830
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# SI2302DDS-T1-GE3CT-ND

 Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3

 23441
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# 2918682

 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, 150DEG C, 0.71W

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1441
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

 SILICONIX (VISHAY)

NEW AND ORGINAL. ISRAEL W.HOUSE

 1590
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDST1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

 124950
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# C194092

 Vishay Intertechnologies

7830
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

 500000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# 78-SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23

RoHS: Compliant
 1647
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# XSKDRABV0045271

 Vishay Intertechnologies

3000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3.

D# 28AC2122

 Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:2.6A, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:-, Product Range:-RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
 3000

SI2302DDS-T1-GE3

D# 70AC6493

 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, 150DEG C, 0.71W, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:2.6A, On Resistance Rds(on):0.045ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5VRoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
 1441
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# 1464437

 Vishay Intertechnologies

N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-363 Vishay SI2302DDS-T1-GE3, RL

Min Qty: 3000
Container: Reel
 13425
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDST1GE3

 Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

 5979
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

 499985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3.

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V N-CHANNEL (D-S)

pbFree: Pb-Free
 0

SI2302DDS-T1-GE3

 Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23

pbFree: Pb-Free
 0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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 Vishay Huntington

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 301
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SI2302DDS-T1-GE3

D# 53455066

 Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R

RoHS: Compliant
 0
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 Vishay Huntington

MOSFET N-CHAN 20V SOT23

 48010
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI2302DDS-T1-GE3

D# 2918682

 Vishay Intertechnologies

MOSFET, N-CH, 20V, 2.6A, 150DEG C, 0.71W

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
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 1441

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