Name: SI1970DH-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1970DH-T1-E3
Availability: InStock
Rating: 5 (80 reviews)

SI1970DH-T1-E3

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Numero di parte	SI1970DH-T1-E3
Produttore	Vishay Siliconix
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Scheda dati	SI1970DH-T1-E3 Scheda dati
pacchetto	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1970DH-T1-E3

Produttore	Vishay Siliconix
Categoria	Dispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
Serie	TrenchFET?
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	95pF @ 15V
Potenza - Max	1.25W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore	SC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3 Packaging

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DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SC-70, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.3A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):345mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:12V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

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D# SI1970DH-T1-E3TR-ND

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