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SI1970DH-T1-E3

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Numero di parte SI1970DH-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6
Scheda dati

SI1970DH-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1970DH-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs225 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds95pF @ 15V
Potenza - Max1.25W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1970DH-T1-E3

SI1970DH-T1-E3 Packaging

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Packing
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SI1970DH-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1970DH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SC-70, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:1.3A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):345mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:12V, Threshold Voltage Vgs:1.6V, No. of Pins:6 , RoHS Compliant: Yes

2
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D# SI1970DH-T1-E3TR-ND

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MOSFET, DUAL, N, SC-70

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