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SI1965DH-T1-E3

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SI1965DH-T1-E3

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Numero di parte SI1965DH-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Scheda dati

SI1965DH-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1965DH-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs390 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds120pF @ 6V
Potenza - Max1.25W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1965DH-T1-E3

SI1965DH-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1965DH-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1965DH-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1965DH-T1-E3?
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Trans MOSFET P-CH 12V 1.14A 6-Pin SC-70 T/R

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Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SI1965DH-T1-E3)

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Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual P-CH 12V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1965DH-T1-E3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DH-T1-E3

Vishay Intertechnologies

Si1965DH Series Dual P-Channel 12 V 390 mOhms Surface Mount Power Mosfet-SOT-363

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1965DHT1E3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.14A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
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D# 742-SI1965DH-T1-E3CT-ND

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MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

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MOSFET -12V Vds 8V Vgs SC70-6

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