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SI1922EDH-T1-GE3

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SI1922EDH-T1-GE3

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Numero di parte SI1922EDH-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
Scheda dati

SI1922EDH-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1922EDH-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs198 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.5nC @ 8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max1.25W
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

Scheda tecnica SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3 Packaging

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Sealing
Packing
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SI1922EDH-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1922EDH-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1922EDH-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 70616150

Vishay Siliconix

SI1922EDH-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# V36:1790_09216775

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 65T1686

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R - Product that comes on tape, but is not reeled (Alt: 65T1686)

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1922EDH-T1-GE3)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1922EDH-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

3000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

DualN-Channel -20V 1.3A 1V @ 250uA 198mohms @ 1A,4.5V 1.25W SC-70-6(SOT-363) MOSFET RoHS

2411
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# SI1922EDH-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363

4066
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 2056714RL

Vishay Intertechnologies

MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Reel
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDHT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

110670
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM Immediate delivery

180000
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 78-SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6

RoHS: Compliant
75

SI1922EDH-T1-BE3

D# 78-SI1922EDH-T1-BE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V N-CHANNEL DUAL

RoHS: Compliant
5970
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# XSFP00000027024

Vishay Siliconix

Dual N-Channel 20 V 198 mOhm 1.25 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-363

31598
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 64T4056

Vishay Intertechnologies

MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:1.3A, On Resistance Rds(on):0.165ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 5
Container: Cut Tape
0

SI1922EDH-T1-GE3.

D# 28AC2118

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:20V, Continuous Drain Current Id:1.3A, On Resistance Rds(on):0.165ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V, Threshold Voltage Vgs:400mV RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# NS-SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Siliconix

OEM/CM ONLY

4227
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 8123091

Vishay Intertechnologies

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3, PK

Min Qty: 50
Container: Package
1600
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDHT1GE3

Vishay Intertechnologies

OEM/CM ONLY

4412
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

IN stock Immediate delivery

179985
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V Vds 8V Vgs SC70-6

pbFree: Pb-Free
0

SI1922EDH-T1-BE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 20V N-CHANNEL DUAL

pbFree: Pb-Free
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

Broadcom Limited

shipping today

33
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 35631405

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 20V 1.3A 6-Pin SC-70 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1922EDH-T1-GE3

D# 2056714

Vishay Intertechnologies

MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363

RoHS: Compliant
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