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SI1489EDH-T1-GE3

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SI1489EDH-T1-GE3

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Numero di parte SI1489EDH-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363
Scheda dati

SI1489EDH-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1489EDH-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)1.2V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±5V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs48 mOhm @ 3A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-363
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Scheda tecnica SI1489EDH-T1-GE3

SI1489EDH-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1489EDH-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1489EDH-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1489EDH-T1-GE3?
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