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SI1473DH-T1-GE3

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SI1473DH-T1-GE3

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Numero di parte SI1473DH-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
Scheda dati

SI1473DH-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1473DH-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C2.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds365pF @ 15V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs100 mOhm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Scheda tecnica SI1473DH-T1-GE3

SI1473DH-T1-GE3 Packaging

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SI1473DH-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1473DH-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1473DH-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1473DH-T1-GE3?
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Single P-Channel 30 V 100 mOhm Surface Mount TrenchFET Power Mosfet - SC-70-6

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Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
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D# SI1473DH-T1-GE3TR-ND

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