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SI1404BDH-T1-E3

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SI1404BDH-T1-E3

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Numero di parte SI1404BDH-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT363
Scheda dati

SI1404BDH-T1-E3 Scheda dati

pacchetto 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
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Specifiche SI1404BDH-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C1.9A (Ta), 2.37A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.7nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds100pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)1.32W (Ta), 2.28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs238 mOhm @ 1.9A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)
Pacchetto / caso6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Scheda tecnica SI1404BDH-T1-E3

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