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SI1302DL-T1-GE3

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SI1302DL-T1-GE3

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Numero di parte SI1302DL-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3
Scheda dati

SI1302DL-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SC-70, SOT-323
ECAD
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Specifiche SI1302DL-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-70, SOT-323
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C600mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.4nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)280mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs480 mOhm @ 600mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-3
Pacchetto / casoSC-70, SOT-323

Scheda tecnica SI1302DL-T1-GE3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1302DL-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1302DL-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1302DL-T1-GE3?
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R - Tape and Reel (Alt: SI1302DL-T1-GE3)

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Trans MOSFET N-CH 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R (Alt: SI1302DL-T1-GE3)

0
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MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3

3000
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D# SI1302DL-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3

3372
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SI1302DL-T1-GE3

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N-Channel 30 V 600 mA 280 mW Surface Mount Power MOSFET - SC-70-3

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
2800
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OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

89250
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MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3

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9384

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MOSFET 30V N-CHANNEL TRENCH

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Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.6A 3-Pin SC-70 T/R

1512
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30V N-CH TRENCH

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60000
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SI1302DL-T1-GE3

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