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SI1070X-T1-GE3

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SI1070X-T1-GE3

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Numero di parte SI1070X-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
Scheda dati

SI1070X-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1070X-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds385pF @ 15V
Vgs (massimo)±12V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs99 mOhm @ 1.2A, 4.5V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666

Scheda tecnica SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1070X-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1070X-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1070X-T1-GE3?
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    (1)Inform us within 90 days
    (2)Obtain Requesting Return Authorizations
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D# 70616137

Vishay Siliconix

SI1070X-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 1.2 A, 30 V, 6-Pin SC-89

RoHS: Not Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070X-T1-GE3

D# V72:2272_09215311

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070X-T1-GE3

D# SI1070X-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R - Tape and Reel (Alt: SI1070X-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070X-T1-GE3

D# SI1070X-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R (Alt: SI1070X-T1-GE3)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070X-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

MOSFET 30V 1.2A 0.236W 99mohm @ 4.5V

9804
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070XT1GE3

Vishay Intertechnologies

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070X-T1-GE3

D# SI1070X-T1-GE3CT-ND

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6

1180
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Vishay Intertechnologies

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6860
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SI1070X-T1-GE3

Vishay Intertechnologies

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
0
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Vishay Semiconductors

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

21420
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OEM/CM Immediate delivery

6600
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SI1070X-T1-GE3

D# 781-SI1070X-GE3

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MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6

RoHS: Compliant
810
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SI1070X-T1-GE3.

D# 16AC0251

Vishay Intertechnologies

Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:1.2A, On Resistance Rds(on):0.14ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:12V, Threshold Voltage Vgs:1.55V RoHS Compliant: No

RoHS: Not Compliant
Min Qty: 3000
Container: TAPE & REEL - FULL
0

SI1070X-T1-GE3

D# 16P3696

Vishay Intertechnologies

N CHANNEL MOSFET, 30V, 1.2A, SC-89, Transistor Polarity:N Channel, Drain Source Voltage Vds:30V, Continuous Drain Current Id:1.2A, On Resistance Rds(on):0.14ohm, Transistor Mounting:Surface Mount, Rds(on) Test Voltage Vgs:12V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Cut Tape
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SI1070X-T1-GE3

Vishay Siliconix

1200MA, 30V, N-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET

3084
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SI1070X-T1-GE3

D# 8123041P

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N-Channel MOSFET, 1.2 A, 30 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1070X-T1-GE3, RL

Min Qty: 20
Container: Reel
1120
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22775
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MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6

pbFree: Pb-Free
0
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