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SI1035X-T1-E3

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Numero di parte SI1035X-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Scheda dati

SI1035X-T1-E3 Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1035X-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id400mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max250mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6

Scheda tecnica SI1035X-T1-E3

SI1035X-T1-E3 Packaging

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Packing
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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1035X-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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