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SI1029X-T1-E3

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Numero di parte SI1029X-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Scheda dati

SI1029X-T1-E3 Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1029X-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETN and P-Channel
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C305mA, 190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds30pF @ 25V
Potenza - Max250mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6

Scheda tecnica SI1029X-T1-E3

SI1029X-T1-E3 Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SI1029X-T1-E3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1029X-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1029X-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1029X-T1-E3?
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60V (D-S) P&N COMP MOSFET W/ESD PRO

RoHS: Not Compliant
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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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Dual N & P Channel 60 V 1.4/4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-89-6

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Numero di parte Produttore Descrizione Azione

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D# SI1029X-T1-E3TR-ND

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MOSFET N/P-CH 60V SOT563F

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7140
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