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SI1028X-T1-GE3

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Numero di parte SI1028X-T1-GE3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET 2N-CH 30V SC89-6
Scheda dati

SI1028X-T1-GE3 Scheda dati

pacchetto SOT-563, SOT-666
ECAD
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Specifiche SI1028X-T1-GE3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Array
pacchettoSOT-563, SOT-666
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FETLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs650 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16pF @ 15V
Potenza - Max220mW
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / casoSOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-89-6

Scheda tecnica SI1028X-T1-GE3

SI1028X-T1-GE3 Packaging

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SI1028X-T1-GE3 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1028X-T1-GE3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1028X-T1-GE3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 5. How is the shipping arranged?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1028X-T1-GE3?
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Dual N-Channel MOSFET, 480 mA, 30 V, 6-Pin SOT-523 Vishay SI1028X-T1-GE3, RL

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