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SI1021R-T1-E3

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Numero di parte SI1021R-T1-E3
Produttore Vishay Siliconix
Descrizione MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
Scheda dati

SI1021R-T1-E3 Scheda dati

pacchetto SC-75A
ECAD
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Specifiche SI1021R-T1-E3

ProduttoreVishay Siliconix
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoSC-75A
ECAD
SerieTrenchFET?
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C190mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-75A
Pacchetto / casoSC-75A

Scheda tecnica SI1021R-T1-E3

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  • 2. How does Heisener guarantee that SI1021R-T1-E3 is from the original manufacturer or authorized agents?
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  • 3. Are the SI1021R-T1-E3 price and inventory displayed accurate?
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  • 4. What forms of payment are accepted?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SI1021R-T1-E3?
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