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SCTWA30N120

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Numero di parte SCTWA30N120
Produttore STMicroelectronics
Descrizione IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Scheda dati
pacchetto -
ECAD
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Specifiche SCTWA30N120

ProduttoreSTMicroelectronics
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchetto-
ECAD
Serie*
Tipo FET-
Tecnologia-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (massimo)-
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto dispositivo fornitore-
Pacchetto / caso-

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Packing
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SCTWA30N120 FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SCTWA30N120 is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SCTWA30N120. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SCTWA30N120 on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SCTWA30N120 products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SCTWA30N120 price and inventory displayed accurate?
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  • 6. What is the process for return or replacement of SCTWA30N120?
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WIDE BANDGAP TRANSISTORS - Rail/Tube (Alt: SCTWA30N120)

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WIDE BANDGAP TRANSISTORS (Alt: SCTWA30N120)

 0
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MOSFET

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 30
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IC POWER MOSFET 1200V HIP247

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Silicon carbide Power MOSFET 1200V

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MOSFET PTD NEW MAT & PWR SOLUTION

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 50
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 0
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SiC N-Channel MOSFET Module, 45 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCTWA30N120, TU

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