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SCT2H12NYTB

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Numero di parte SCT2H12NYTB
Produttore Rohm Semiconductor
Descrizione 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET
Scheda dati
pacchetto TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
ECAD
A magazzino 18.552 piece(s)
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Specifiche SCT2H12NYTB

ProduttoreRohm Semiconductor
CategoriaDispositivi a semiconduttore discreti - Transistor - FET, MOSFET - Singoli
pacchettoTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
ECAD
Serie-
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)1700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)18V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 410µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14nC @ 18V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds184pF @ 800V
Vgs (massimo)+22V, -6V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
temperatura di esercizio175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268
Pacchetto / casoTO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

SCT2H12NYTB Packaging

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Sealing
Packing
Insepction

SCT2H12NYTB FAQ

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  • 2. How does Heisener guarantee that SCT2H12NYTB is from the original manufacturer or authorized agents?
    We have a professional and experienced quality control team to strictly verify and test the SCT2H12NYTB. All suppliers must pass our qualification reviews before they can publish their products including SCT2H12NYTB on Heisener; we pay more attention to the channels and quality of SCT2H12NYTB products than any other customer. We strictly implement supplier audits, so you can purchase with confidence.
  • 3. Are the SCT2H12NYTB price and inventory displayed accurate?
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    Warm Tips: It may take up to 24 hours for the carriers to display tracking information. Usually, express delivery takes 3-5 days, and registered mail takes 25-60 days.
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    (1)Inform us within 90 days
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SCT2H12NYTB

D# SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 1700V 4A 3-Pin TO-268 Emboss T/R - Tape and Reel (Alt: SCT2H12NYTB)

RoHS: Compliant
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 1700V 4A 3-Pin TO-268 Emboss T/R (Alt: SCT2H12NYTB)

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# C1S625901697085

ROHM Semiconductor

MOSFET

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
720
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

RoHS (ship within 1day) - D/C N/A

16
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# SCT2H12NYTBCT-ND

ROHM Semiconductor

SICFET N-CH 1700V 4A TO268

751
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# 2762593

ROHM Semiconductor

MOSFET, N-CH, 1.7KV, 4A, TO-268

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
637
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

RoHS: Compliant
pbFree: Yes
400
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS

952
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# 755-SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide

RoHS: Compliant
236
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# XSFP00000102123

ROHM SEMICONDUCTOR

N-Channel 1700 V 1.5 Ohm Surface Mount SiC Power Mosfet - TO-268-2

800
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# 18AC7649

ROHM Semiconductor

MOSFET, N-CH, 1.7KV, 4A, TO-268, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4A, Drain Source Voltage Vds:1.7kV, On Resistance Rds(on):1.15ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:18V, Threshold Voltage Vgs:2.8V, Power RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
437

SCT2H12NYTB.

D# 30AC0012

ROHM Semiconductor

MOSFET Configuration:Single, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:4A, Drain Source Voltage Vds:1.7kV, On Resistance Rds(on):1.15ohm, No. of Pins:2Pins, Rds(on) Test Voltage Vgs:18V, Threshold Voltage Vgs:2.8V RoHS Compliant: Yes

RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: TAPE & REEL - FULL
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

412
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# 1501510

ROHM Semiconductor

SiC N-Channel MOSFET, 4 A, 1700 V, 2 + Tab-Pin TO-268 ROHM SCT2H12NYTB, PK

Min Qty: 2
Container: Package
48
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

OEM/CM ONLY

532
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

ROHM Semiconductor

MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide

pbFree: Pb-Free
0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# 53290034

ROHM Semiconductor

Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4A 3-Pin(2+Tab) TO-268L T/R

0
Numero di parte Produttore Descrizione Azione

SCT2H12NYTB

D# 2762593

ROHM Semiconductor

MOSFET, N-CH, 1.7KV, 4A, TO-268

RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape
449

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